光耦的電-光-電特殊結(jié)構(gòu)使其具有傳統(tǒng)電子元器件不具備優(yōu)點(diǎn)的同時，也產(chǎn)生了新的可靠性問題。一方面，發(fā)光二極管以及接收端的光敏三極管、集成電路芯片屬于半導(dǎo)體器件，會受到EOS、ESD的損傷，鍵合不良、芯片崩損等均可能導(dǎo)致光耦失效；另一方面，光耦中導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)帶來了開裂、分層、腐蝕等問題，容易導(dǎo)致光耦產(chǎn)生不穩(wěn)定失效。那么如何提高光耦的可靠性呢？

①   光耦的輸入端導(dǎo)致失效

光耦的輸入端多為砷化鎵LED，因此光耦的輸入端失效模式及原因與常規(guī)LED失效模式及原因相似。LED的主要失效模式包括漏電、短路以及開路。其中，造成漏電或失效的主要原因包括：靜電擊穿、過電應(yīng)力，以及芯片表面存在導(dǎo)電物質(zhì)等；引起開路的常見失效原因包括鍵合不良、EOS導(dǎo)致鍵合絲燒斷、芯片銀漿粘接不良等。

②  光耦的輸出芯片導(dǎo)致失效

光耦的輸出芯片常見失效模式包括開路或阻值增大，以及阻值減小。導(dǎo)致阻值增大的可能原因包括：EOS燒毀導(dǎo)致鍵合絲或金屬化燒斷，鍵合不良，芯片表面離子玷污或有機(jī)膠中含氯離子導(dǎo)致鍵合點(diǎn)或鋁布線腐蝕脫開；導(dǎo)致阻值減小的可能原因包括：EOS燒毀，芯片粘接銀漿污染芯片表面等。

③  輸入端與輸出端之間傳輸導(dǎo)致失效

輸出端與輸出端傳輸失效現(xiàn)象包括：CTR降低、輸入端無信號時異常導(dǎo)通、不導(dǎo)通、輸出電壓漂移。其中，常見失效機(jī)理包括：輸出端芯片ESD損傷、輸出端芯片EOS燒毀、鍵合不良，輸入端二極管發(fā)光效率降低，反射膠和導(dǎo)電膠開裂分層等。

鑒于光耦的工作原理、參數(shù)、封裝結(jié)構(gòu)與通常的半導(dǎo)體器件存在差別，一方面，使用不當(dāng)會導(dǎo)致LED、輸出芯片常見的失效原因ESD、EOS、鍵合失效之外，還具有與普通半導(dǎo)體器件不一樣的失效模式與機(jī)理。光耦內(nèi)部由于發(fā)光二極管與接收芯片之間存在導(dǎo)光膠，當(dāng)導(dǎo)光膠開裂、分層時，將會導(dǎo)致光路傳輸不暢，使光耦的CTR偏離正常值，可能出現(xiàn)不穩(wěn)定失效；當(dāng)導(dǎo)光膠存在腐蝕性離子時，腐蝕性離子如氯離子可能導(dǎo)致器件表面產(chǎn)生腐蝕，導(dǎo)致器件內(nèi)部產(chǎn)生開路、或發(fā)生漏電情況。